第一個工藝是鑄塊。鑄塊是制作晶圓的基板。將結晶硅和硼酸（B），磷（P）一起放入石英坩堝中，高溫溶解。將結晶棒浸入溶解的硅液面，一邊旋轉，一邊慢慢的向上提起，單結晶鑄塊完成，并且其原子配列和結晶棒相同。

這個是將鑄塊研磨薄之后加工晶圓的工藝
         第一步制作的鑄塊被線鋸切薄后，成圓盤狀。這個叫晶圓。這個晶圓表面是凹凸不平的，通過rapping（粗研磨）?蝕刻（化學方式研磨）?拋光（鏡面研磨）這幾個研磨工藝打磨光滑。          
         研磨后的晶圓厚度根據SEMI規格等有一點基準，例如“12”晶圓，其厚度就在775μm±20μ

• In-situ膜厚測量1（SF-3）
• 晶圓平坦度測量（SF-3）
• 研磨后晶圓厚度測量（SF-3）
• 晶圓銳邊厚度測量 （SF-3）

這個過程叫做清洗。主要為了去除附著在表面的異物。如果晶圓上有異物，之后再結晶成長工藝和光刻工藝中會產生不良。通過過酸化氫和鹽酸、氫氟酸等清洗液去除晶圓上的粒子和金屬，有機物。之后用非常干凈的被稱作超純水的清洗用水流動清洗，旋轉干燥。潮濕的話，空氣中的粒子可能會污染剛洗凈的晶圓。

• 晶圓表面的電位（ELSZ-2000ZS）

在晶圓表面酸化過程中，形成通過熱處理產生的優質表面酸化膜。酸化設備主要有縱型爐，橫型爐和ＲＴＰ設備。通過酸化爐加高溫度（約800℃以上），在流入混有氧的煤氣，形成酸化膜

熱酸化后，涂布光刻膠，然后經過曝光?顯影、蝕刻、清洗、CMP工程形成pattern。

• In-situ 膜厚測量2（SF-3）

通過晶圓探針，測試晶圓上形成的所有芯片的電氣特性。通過這個測試，可以辨別芯片的不良品。

晶圓薄化工藝中，為了便于運送時抓取晶圓，會將晶圓貼合再硅和玻璃等的支持基板上。
         夾著樹脂（接著層）貼合，最近也有提案，晶圓之間直接貼合。

• 貼合晶圓厚度的測量

晶圓表面pattern完成后，研磨晶圓正反面，削薄厚度。研磨后晶圓全體厚度不勻，需要盡可能控制厚度不勻。

• In-situ 膜厚測量3（SF-3）
• 研磨后的貼合晶圓厚度測量（SF-3）

將前工藝中制作的晶圓在后工藝中一個一個切開分離IC芯片，封裝。把芯片切小這個工藝叫做切片。主要通過高速旋轉鉆石材質的圓形刀片，用純水一邊冷卻一邊沖洗切割中的碎渣完成切片的。

完成后的芯片通過線粘合和再配線層，配線于封裝基板和硅支持基板等中。之后，芯片用樹脂封裝完成。

完成半導體封裝后，可以組裝到汽車，智能手機，IoT驅動、云、AI關聯產品等各個領域中。